STB系列可飽和吸收鏡（SAM）

可飽和吸收鏡是生長在含一個或多個低溫GaAs（LT-GaAs）或LT-InGaAs薄膜作為可飽和吸收材料的GaAs晶片上的具有AlAs/GaAs四分之一波長疊層的Bragg布拉格反射鏡。

我們研制的載流子弛豫時間在皮秒范圍內的可飽和吸收鏡可用于二極管泵浦激光器的被動鎖模和調Q。薄膜疊層的設計可以進行調整，以滿足皮秒和飛秒區不同被動鎖模激光器的要求。

STB-SAM訂單信息：零件號：STB-SAM-λ-A-τ-x

• λ激光波長

• A 低強度吸收

• τ吸收器松弛時間

• x 安裝條件（請參見安裝條件）

產品范圍：

1. 波長范圍790-830納米：800納米

2. 波長范圍910-990納米：920納米| 940納米| 980納米

3. 波長范圍1020-1150納米：1040納米| 1064納米| 1100納米

4. 波長范圍1110-1320納米：1150納米| 1300納米

5. 波長范圍132-1460納米：1340納米| 1420納米

6. 波長范圍1470-1660納米：1510納米| 1550納米| 1645納米

7. 波長范圍1900-2600納米：2000納米| 2400納米

8. 波長范圍2700-3200納米：2800納米| 3000納米

STB系列諧振飽和吸收鏡

諧振飽和吸收鏡（Resonant Saturable Absorber Mirror, RSAM）被設計用來重塑光信號。在光纖、通信節點和其他光學設備中傳播的光信號會受到光損耗的影響，并且會被修改。在每一個放大階段，利用受激發射過程，由于不可避免的自發輻射，信噪比降低。包括在光放大器之后的RSAM降低了噪聲背景，并且允許光脈沖不受非線性光學行為影響地通過。

零件號說明：STB-RSAM-λ-τ-x

• Λ 激光波長

• τ 吸收體弛豫時間

• x 安裝條件

STB系列可飽和輸出耦合器（SOC）

利用可飽和輸出耦合器（Saturable Output Coupler, SOC），可以設計出自啟動、被動鎖模或調Q二極管泵浦的固態或光纖激光器。SOC是一個可飽和吸收鏡（SAM）和一個輸出耦合器的組合。

SOC訂單信息：零件號：STB-SOC-λ-A-τ-x

• λ 激光波長

• A 低強度吸收

• T 低強度透射率

• τ吸收體弛豫時間

• x 安裝條件

飽和噪聲抑制器SANOS

諧振可飽和吸收鏡（Resonant Saturable Absorber Mirror, RSAM）被設計用來重塑光信號。在光纖、通信節點和其他光學設備中傳播的光信號會受到光損耗的影響，并且會被修改。在每一個放大階段，利用受激發射過程，由于不可避免的自發輻射，信噪比降低。包括在光放大器之后的RSAM降低了噪聲背景，并且允許光脈沖不受非線性光學行為影響地通過。

1.自由空間飽和噪聲抑制器

對于1064nm波長，我們提供了一個自由空間飽和噪聲抑制器：STB-FS-SANOS。它由一個RSAM和一個100%反射鏡組成，允許在不改變光束方向的情況下插入激光束。

自由空間SANOS訂單信息：零件號：STB-FS-SANOS-λ-τ-x

• λ激光波長

• τ吸收體弛豫時間

• x 吸收器級數（1或2）

飽和噪聲抑制器SANOS應用:

• 光放大器后的噪聲抑制（放大自發輻射）

• 脈沖選擇器后剩余脈沖的抑制

1.1自由空間飽和噪聲抑制器, 一級STB-FS-SANOS-1064-15ps-1

STB-FS-SANOS由諧振飽和吸收鏡（RSAM）和傳統的100%反射鏡組成。光束在STB-FS-SANOS上實現，方向不變，但平行偏移為2 mm。RSAM具有很強的非線性反射特性。對于低輸入信號電平，STB-FS-SANOS的透射率僅為2%（98%損耗），而高強度脈沖的傳輸損耗較低，為50%。輸入隔離度優于50db。為了精確地滿足低強度反射率的最小值，可以在一定程度上改變輸入光束的傾角。

FS-SANOS主要數據：

• 共振波長：1064 nm（根據要求可以是1050 nm–1064 nm）

• 半最大半高寬時的全寬FWHM：20 nm

• 噪聲抑制比：14dB

• 插入損耗：3 dB

• 飽和光強：4μJ/cm2@噪音抑制10 dB

• 弛豫時間常數：15ps

• 平行光束偏移：2 mm

• 鏡子：一個RSAM和一個R>99%的介質鏡，尺寸：4 mm x 4 mm

• 反射鏡入射角：8°

1.2兩級STB-FS-SANOS-1064-9ps-2

STB-FS-SANOS-2由兩個諧振式可飽和吸收鏡（RSAM）組成。光束在自由空間SANOS上實現，方向不變，但平行偏移為2 mm。RSAM具有很強的非線性反射特性。對于低輸入信號電平，STB-FS-SANOS-2的透射率低于0.1%（99.9%損耗），而高強度脈沖的透射率低于75%。輸入隔離度優于50db。為了精確地滿足低強度反射率的最小值，可以在一定程度上改變輸入光束的傾角。

FS-SANOS主要數據

• 共振波長：1064nm

• 半最大半高寬時的全寬FWHM：17nm

• 噪聲抑制比：>20dB

• 插入損耗：6dB

• 飽和光強：10μJ/cm2@噪音抑制20dB

• 弛豫時間常數：15ps

• 平行光束偏移：2 mm

• 鏡子：兩個RSAM，尺寸：4 mm x 4 mm

• 反射鏡入射角：8°

2.光纖耦合飽和噪聲抑制器

對于1550nm波長，我們提供了一種光纖耦合可飽和噪聲抑制器：FC-SANOS。它由三端口環行器的第二個端口上的RSAM組成，允許簡單地插入光纖。

光纖耦合SANOS訂單信息：零件號：STB-FC-SANOS-λ-x

• λ激光波長

• x 光纖和連接器類型

SANOS是一種諧振式可飽和吸收鏡（RSAM），安裝在環行器上。RSAM有一個強非線性反射。對于低輸入信號電平，STB-FC-SANOS的透射率僅為

3%（97%損耗），而高強度脈沖的傳輸損耗較低，為50%。需要的飽和時的峰值脈沖功率約為500mw。因為RSAM是一個共振設備，噪聲僅在共振波長處被抑制。常見的光纖連接器類型是FC/PC，但是可定制。輸入隔離度優于50db。

• 零件號：STB-FC-SANOS-15XX

• 共振波長：1530nm，1535nm，…，1555nm，1560nm，步長5nm

• 半最大半高寬時的全寬FWHM：16 nm

• 低透光率：3%

• 高透光率：45%

• 噪聲抑制系數：6…18（取決于輸入信噪比）

• 插入損耗：3 dB

• 脈沖光強：F=100μJ/cm2

• 弛豫時間常數：~5 ps

• 最大平均輸入功率：0.5 W

• 方向性：50 dB

• 光纖連接器類型：FC/PC，根據要求提供其他

透射式飽和吸收體（SA）

無布拉格反射鏡的可飽和吸收體可用于激光器的自啟動、被動鎖模，但工作在透射模式。例如，它可以插入光纖環形激光器。SA的飽和通量明顯高于SAM。

SA訂單信息：零件號：SA-λ-A-τ-x

• λ激光波長

• A 低強度吸收

• τ吸收體弛豫時間

• x 安裝條件

1.零件號：STB-SA-1020-40-x，波長1020 nm

• 激光波長：980-1040 nm

• 吸收率：40%

• 調制深度：25%

• 不飽和損耗：15%

• 飽和光強：300μJ/cm2

• 脈沖損傷閾值：1.2 mJ/cm2

• 弛豫時間常數：~500 fs

• 芯片面積：5mm x 5mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μm；半絕緣砷化鎵

2.零件號：STB-SA-1030-34-3ps-x波長1030nm

• 激光波長：1000 nm…1040 nm

• 吸收率：34%

• 調制深度：20%

• 非飽和損耗：14%

• 飽和光強：300μJ/cm2

• 脈沖損傷閾值：1.2 mJ/cm2

• 弛豫時間常數：~3ps

• 芯片面積：5mm x 5mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：450μm；半絕緣砷化鎵

3.零件號：STB-SA-1064-14-28ps-x，波長1064nm

• 激光波長：1000 nm…1100 nm

• 吸收率：14%

• 透光率：85%

• 調制深度：3.4%

• 飽和光強：300μJ/cm2

• 損傷閾值：200mW/cm2

• 弛豫時間常數：~28 ps

• 芯片面積：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μm；半絕緣砷化鎵

4.零件號STB-SA-1064-25-500fs-x，波長1064 nm

• 激光器波長:1050 nm …1090nm

• 吸收率：25%

• 調制深度：13%

• 非飽和損耗：12%

• 飽和光強：300μJ/cm2

• 損傷閾值：1.2 mJ/cm2

• 弛豫時間常數：~500 fs

• 芯片面積：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μ米；半絕緣砷化鎵

5.零件號STB-SA-1064-26-37ps-x，波長1064 nm

• 激光波長：1000 nm…1100 nm

• 吸收率：26%

• 透光率：73%

• 調制深度：4.9%

• 飽和光強：300μJ/cm2

• 損傷閾值：1 mJ/cm2

• 弛豫時間常數：~37 ps

• 芯片面積：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μm；半絕緣砷化鎵

6.零件號STB-SA-1064-40-500fs-x，波長1064nm

• 激光波長：1030 nm…1090 nm

• 吸收率：40%

• 調制深度：25%

• 不飽和損耗：15%

• 飽和光強：300μJ/cm2

• 損傷閾值：1 mJ/cm2

• 弛豫時間常數：~500 fs

• 芯片面積：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μm；半絕緣砷化鎵

7.零件號STB-SA-1340-22-20ps-x，波長1340 nm

• 激光波長：1340nm

• 吸收率：22%

• 調制深度：14%

• 不飽和損耗：8%

• 飽和光強：300μJ/cm2

• 損傷閾值：1.2 mJ/cm2

• 弛豫時間常數：~20 ps

• 芯片面積：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μm；半絕緣砷化鎵

8.產品清單，λ=1550nm，625μm自由空間應用的基片厚度

（1） 零件號STB-SA-1550-6-20ps-x，波長1550nm

• 激光波長：1550nm

• 吸收率：6%

• 調制深度：4%

• 不飽和損耗：2%

• 飽和光強：300μJ/cm2

• 損傷閾值：1.5 mJ/cm2

• 弛豫時間常數：~20 ps

• 芯片面積：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μm；半絕緣砷化鎵

（2） 零件號SA-1550-35-2ps-x，波長1550 nm

• 激光波長：1400 nm…1600 nm

• 吸收率：35%

• 調制深度：21%

• 非飽和損耗：14%

• 飽和光強：300μm

• 損傷閾值：1.5 mJ/cm2

• 弛豫時間常數：~2ps

• 芯片面積：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μm；半絕緣砷化鎵

（3） 零件號STB-SA-1550-46-2ps-x，波長1550 nm

• 激光波長：1400 nm…1600 nm

• 吸收率：46%

• 調制深度：28%

• 不飽和損耗：18%

• 飽和光強：300μJ/cm2

• 損傷閾值：1.5 mJ/cm2

• 弛豫時間常數：~2ps

• 芯片面積：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μm；半絕緣砷化鎵

9. 1550nm、150μm基片厚度光纖對接耦合的可飽和吸收體

（1） 零件號STB-SA-1550-25-2ps-x，波長1550 nm

• 激光波長：1500 nm…1600 nm

• 吸收率：25%

• 調制深度：15%

• 不飽和損耗：10%

• 飽和光強：300μJ/cm2

• 損傷閾值：2 mJ/cm2

• 弛豫時間常數：~2ps

• 芯片面積：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：100μm；半絕緣砷化鎵

（2） 零件號STB-SA-1550-41-2ps-thin-x，波長1550 nm，光纖耦合用薄可飽和吸收體

• 激光波長：1400 nm…1600 nm

• 吸收率：41%

• 調制深度：25%

• 不飽和損耗：16%

• 光纖耦合插入損耗：≤ 1.6分貝

• 飽和光強：300μJ/cm2

• 損傷閾值：1.5 mJ/cm2

• 弛豫時間常數：~2ps

• 芯片面積：1.3mm×1.3mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：150μm；半絕緣砷化鎵

（3） 零件號STB-SA-1550-58-2ps-thin-x，波長1550 nm，光纖耦合用薄可飽和吸收體

• 激光波長：1400 nm…1600 nm

• 吸收率：58%

• 調制深度：35%

• 非飽和損耗：23%

• 光纖耦合插入損耗：≤ 1.6分貝

• 飽和光強：300μJ/cm2

• 損傷閾值：1.5 mJ/cm2

• 弛豫時間常數：~2ps

• 芯片面積：1.3mm×1.3mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：150μ米；半絕緣砷化鎵

• 10. 2000nm可飽和吸收體

（1） 零件號STB-SA-2000-1-x波長2000 nm

• 激光波長：1900 nm…2100 nm

• 吸收率：1%

• 調制深度：0.6%

• 不飽和損耗：0.4%

• 飽和光強：300μJ/cm2

• 損傷閾值：3mj/cm2

• 弛豫時間常數：~10ps

• 芯片面積：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μ米；半絕緣砷化鎵

（2）零件號STB-SA-2000-25-10ps-x，波長2000 nm

• 激光波長：1800 nm…2200 nm

• 吸收率：25%@2000 nm

• 透光率：74%@2000 nm

• 反射率：1%@2000 nm

• 調制深度：15%@2000 nm

• 非飽和損耗：11%@2000 nm

• 飽和光強：2 mJ/cm2

• 損傷閾值：4mj/cm2

• 弛豫時間常數：~10ps

• 芯片面積：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：180μ米；半絕緣砷化鎵

（3） 零件號STB-SA-2000-43-x，波長2000 nm

• 激光波長：1800 nm…2200 nm

• 吸收率：43%@2000 nm

• 透光率：56%@2000 nm

• 反射率：0.2%@2000 nm

• 調制深度：23%@2000 nm

• 非飽和損耗：20%@2000 nm

• 飽和光強：300μJ/cm2

• 損傷閾值：2 mJ/cm2

• 弛豫時間常數：~10ps

• 芯片面積：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μm或150μm配光纖對接耦合；半絕緣砷化鎵

11.零件號STB-SA-2800-10-10ps-x，波長2800 nm

• 激光波長：2500 nm…3000 nm

• 吸收率：10%@2.8μ米

• 透光率：90%@2.8μ米

• 反射率：0%@2.8μ米

• 調制深度：6%@2.8μ米

• 非飽和損耗：4%@2.8μ米

• 飽和光強：300μJ/cm2

• 損傷閾值：2 mJ/cm2

• 弛豫時間常數：~10ps

• 芯片面積：5mm×5mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μm半絕緣砷化鎵

透射式共振可飽和吸收體（RSA）

諧振型可飽和吸收體可用于環形激光器的被動鎖模，但它是一種諧振裝置，具有以下特殊特性：

• 低強度共振波長的零反射率

• /static/upload/image/ 共振外所有波長的透射率為零

• 在共振波長處，透過率隨脈沖光強的增加而增加

• 飽和光強明顯低于SA，甚至低于典型SAM

利用上述特性，可以構造出一種無源鎖模光纖環形激光器

• 固定在RSA共振波長的激光波長

• 低功率閾值啟動連續波鎖模

RSA訂單信息：零件號：RSA-λ-A-T-τ-x

• λ激光波長

• A 低強度吸收

• T 低強度傳輸

• τ 吸收體弛豫時間

• x 安裝條件

零件號STB-RSA-1057-53-45-6ps-x，波長1057 nm

• 共振波長：1056..1060 nm

• 吸收率：53%

• 透光率：45%

• 反射率：2%

• 調制深度：△T=27%，△R=15%，△A=43%

• 飽和光強：25μJ/cm2

• 損傷閾值：2 mJ/cm2

• 弛豫時間常數：6ps

• 芯片面積：5mm×5mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：450μm；半絕緣砷化鎵

• 正面保護：介質涂層

• 背面鍍膜：SA背面拋光，鍍膜增透1060nm

安裝條件x表示安裝類型，如下所示：

• x=5.0-0未安裝芯片5.0 mm x 5.0 mm

• x=5.0-12.7 g粘在直徑為12.7 mm、孔為4 mm的銅散熱器上

• x=5.0-25.0 g粘在直徑為25.4 mm、孔為4 mm的銅散熱器上

• x=5.0-25.4 g粘在直徑為25.4 mm、孔為4 mm的銅散熱器上

安裝條件

x=4.0-0

• 單芯片，未安裝

• 芯片面積4.0 mm x 4.0 mm

• 芯片厚度450μm

x=1.0b-0

• 一批4個未安裝的芯片

• 芯片面積1.0 mm x 1.0 mm

• 芯片厚度450μm

x=1.3b-0

• 一批4個未安裝的芯片

• 芯片面積1.3 mm x 1.3 mm

• 芯片厚度450μm

x=4.0-12.7g-c/4.0-12.7g-e

• 芯片面積4.0 mm x 4.0 mm

• 粘在直徑為12.7 mm的銅散熱器上

• 中心安裝：x=4.0-12.7g-c

• 邊緣安裝：x=4.0-12.7g-e

x=4.0-12.7s-c/4.0-12.7s-e

• 芯片面積4.0 mm x 4.0 mm

• 焊接在直徑為12.7 mm的銅散熱器上

• 中心安裝：x=4.0-12.7s-c

• 邊緣安裝：x=4.0-12.7s-e

x=4.0-25.0g-c/4.0-25.0g-e

• 芯片面積4.0 mm x 4.0 mm

• 粘在直徑為25.0 mm的銅散熱器上

• 中心安裝：x=4.0-25.0g-c

• 邊緣安裝：x=4.0-25.0g-e

x=4.0-25.0s-c/4.0-25.0s-e

• 芯片面積4.0 mm x 4.0 mm

• 焊接在直徑為25.0 mm的銅散熱器上

• 中心安裝：x=4.0-25.0s-c

• 邊緣安裝：x=4.0-25.0s-e

x=4.0-25.4g-c/4.0-25.4g-e

• 芯片面積4.0 mm x 4.0 mm

• 粘在直徑為25.4 mm的銅散熱器上

• 中心安裝：x=4.0-25.4g-c

• 邊緣安裝：x=4.0-25.4g-e

x=4.0-25.4s-c/4.0-25.4s-e

• 芯片面積4.0 mm x 4.0 mm

• 焊接在直徑為25.4 mm的銅散熱器上

• 中心安裝：x=4.0-25.4s-c

• 邊緣安裝：x=4.0-25.4s-e

x=4.0-25.0w-c/4.0-25.0w-e

• 芯片面積4.0 mm x 4.0 mm

• 焊接在直徑為25.0 mm的水冷銅散熱器上

• 中心安裝：x=4.0-25.0w-c

• 邊緣安裝：x=4.0-25.0w-e

x=4.0-25.0h-c/4.0-25.0h-e

• 芯片面積4.0 mm x 4.0 mm

• 焊接在水冷銅散熱器上的薄膜，直徑25.0 mm，用于高功率應用。

• 中心安裝：x=4.0-25.0h-c

• 邊緣安裝：x=4.0-25.0h-e

x=FC/（A）PC-SMF

• 安裝在1米長的單模光纖上。

• 可用光纖：780HP

• FC/PC連接器：x=FC/PC-SMF

• FC/APC連接器：x=FC/APC-SMF

x=FC/（A）PC-PMF

• 安裝在1米長的保偏光纖上。

• 可用光纖：熊貓PM780-HP

• FC/PC連接器：x=FC/PC-PMF

• FC/APC連接器：x=FC/APC-PMF