電光調(diào)Q是指在激光諧振腔內(nèi)加置一塊偏振片和一塊KD*P晶體。光經(jīng)過偏振片后成為線偏振光，如果在KD*P晶體上外加λ/4電壓，由于泡克爾斯效應(yīng)，使往返通過晶體的線偏振光的振動(dòng)方向改變?chǔ)?2。如果KD*P晶體上未加電壓，往返通過晶體的線偏振光的振動(dòng)方向不變。所以當(dāng)晶體上有電壓時(shí)，光束不能在諧振腔中通過，諧振腔處于低Q狀態(tài)。由于外界激勵(lì)作用，上能級(jí)粒子數(shù)便迅速增加。當(dāng)晶體上的電壓突然除去時(shí)，光束可自由通過諧振腔，此時(shí)諧振腔處于高Q值狀態(tài)，從而產(chǎn)生激光巨脈沖。電光調(diào)Q的速率快，可以在10-8秒時(shí)間內(nèi)完成一次開關(guān)作用，使激光的峰值功率達(dá)到千兆瓦量級(jí)。如果原來諧振腔內(nèi)的激光已經(jīng)是線偏振光，在裝置電光調(diào)Q措施時(shí)不必放置偏振片。我們的電光Q開關(guān)產(chǎn)品全，質(zhì)量高，開關(guān)速度快，調(diào)Q頻率高達(dá)MHz以上，使用壽命超過兩年，是國際上最好的電光Q開關(guān)。

電光Q可以工作于升壓式或者降壓式，他們的轉(zhuǎn)動(dòng)角方向不一樣，轉(zhuǎn)動(dòng)角正轉(zhuǎn)或反轉(zhuǎn)90度對(duì)調(diào)Q結(jié)果是一樣的，但我們推薦使用升壓式，因?yàn)檫@種工作方式有利于晶體的使用壽命。所加載的電壓應(yīng)該是窄脈沖的，占空比一般不要超過2%。

STG系列電光Q開關(guān)

STG 系列普克爾盒型號(hào)如下

STG-IMPACT系列電光Q開關(guān)

作為非線性材料和電光器件領(lǐng)域的世界領(lǐng)先的供應(yīng)商，我們又一次制定了工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，專為設(shè)備制造商（OEM）研制了價(jià)格合理的在1Khz頻率下工作的STG-IMPACT系列的普克爾盒電光Q開關(guān)。

STG-IMPACT采用了最好的無應(yīng)力、高度氘化的KD*P晶體。陶瓷孔徑確保在嚴(yán)苛的應(yīng)用中也具有穩(wěn)定的性能?？捎糜诙喾N激光波長的超高的損傷閾值的溶膠和AR鍍膜。選配標(biāo)準(zhǔn)的針型連接器（適用于高電壓應(yīng)用），簡便的設(shè)計(jì)方便客戶快速的連接和組裝，客戶也可選擇傳統(tǒng)的螺紋接頭。STG-IMPACT是采用干燥的氮?dú)饣卮祦肀Ｗo(hù)的真空密封。

主要應(yīng)用

• 激光設(shè)備制造商

• 醫(yī)療/美容激光

• 多功能研發(fā)激光平臺(tái)

• 軍事和航空激光系統(tǒng)

真空密封，充氮?dú)獗Ｗo(hù)，一般推薦IMPACT系列開關(guān)頻率在2kHz或以下。

• 注：1）IMPACT8的標(biāo)準(zhǔn)波長是1064nm和800nm, STG-IMPACT10和STG-IMPACT13的標(biāo)準(zhǔn)波長是1064nm和755nm.

• 2）1/4 波電壓與環(huán)境溫度有關(guān)，對(duì)于1064nm波長，電壓隨溫度變化為+50伏/度，標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)針對(duì)于20度環(huán)境溫度。

STG-QX系列電光Q開關(guān)

STG-QX系列電光Q開關(guān)使用KD*P晶體，應(yīng)用寬帶和高損傷閾值Sol Gel鍍膜，為激光應(yīng)用提供可靠和穩(wěn)定的性能。

主要特點(diǎn)

• 干性或液體密封

• 99.9% KD*P重氫工業(yè)化標(biāo)準(zhǔn)

• 無環(huán)氧和粘結(jié)劑

• 紫外級(jí)熔融硅窗口

• 通關(guān)口徑從9.25mm到19.5mm直徑

• 開關(guān)頻率高達(dá)5kHz

STG-QX1014A短路徑普克爾盒

STG-QX1014A是作為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)STG-QX系列普克爾盒中最新型號(hào)。采用短路徑長度零件用來減少在高峰值功率應(yīng)用和飛秒應(yīng)用中光脈沖在非線性介質(zhì)中傳播時(shí)導(dǎo)致的非線性自聚焦效應(yīng)。

衰減（阻尼）修改允許高達(dá)10kHz的有效操作從而有效的抑制了聲振效應(yīng)。我們可提供多種AR鍍膜，包括我們的獨(dú)有的700-1000nm AR鍍膜-非常適合減小鈦藍(lán)寶石再生放大器的插入損耗。

主要特點(diǎn)

• 短路徑長度，運(yùn)行高達(dá)10kHz

• 可定制AR鍍膜，包括適用于鈦藍(lán)寶石帶寬的AR鍍膜、波長可選、陶瓷通光孔徑、低VOC材料和高質(zhì)量KD*P晶體

主要優(yōu)勢(shì)

• 高損傷閾值

• 低插入損耗

主要應(yīng)用

• 光譜學(xué)用超快再生放大器

• 材料加工

• 光學(xué)參量放大

• 生命科學(xué)用飛秒激光（如LASIK）和材料加工（如光刻掩模修復(fù)）

• 科學(xué)研究

主要規(guī)格

• 通光孔徑：8mm

• 本征對(duì)比（ICR）@633nm:> 1200:1

• 壓電對(duì)比（VCR）@633nm:> 450:1

• 光學(xué)透過率：> 98%

• 633nm時(shí)的直流半波電壓：￡3.8kV

• 633nm時(shí)透射波畸變:?λ/8

• 外形尺寸：直徑34.8mm，長度51.6mm

STG-LightGate系列BBO普克爾盒

針對(duì)高平均功率和高重復(fù)率的應(yīng)用，相較于KD*P 普克爾盒STG LightGate系列BBO 普克爾盒是更好的選擇。STG-LightGate系列BBO 普克爾盒采用雙晶體幾何結(jié)構(gòu)使和最小驅(qū)動(dòng)電壓（四分之一波電壓~3.4kV @ 1064nm ， 4mm 通光孔徑）。BBO在0.2-2.1mm毫米之間是透明的可不受跟蹤性能下降的影響。同時(shí)它還具有比較的低的壓電振鈴效應(yīng)，這是對(duì)于重復(fù)頻率高達(dá)幾十萬赫茲時(shí)非常有用。STG-LightGate系列可應(yīng)用于再生放大器、高脈沖重復(fù)率微加工激光器、材料加工和金屬退火的高平均功率激光器。我們還可為一些特殊應(yīng)用提供定制的晶體開關(guān)。如單晶體開關(guān)、超長、低電壓和超低振鈴衰減效應(yīng)的開關(guān)。

主要特點(diǎn)

• 固態(tài)

• 高達(dá)600kHz的重復(fù)頻率

• 低噪音

• 抗損傷陶瓷孔徑

• 高平均功率的應(yīng)用

• 緊湊的設(shè)計(jì)

• Q開關(guān)和再生放大器應(yīng)用

主要應(yīng)用

• OEM和激光設(shè)備系統(tǒng)中，如加工、標(biāo)記、鉆孔、眼科、調(diào)Q和再生放大器和研究。

• 軍事

STG-CHIRON BBO普克爾盒

STG-Chiron BBO普克爾盒提高了高重復(fù)率和高平均功率激光應(yīng)用的門檻。STG-Chiron-BBO普克爾盒的設(shè)計(jì)也是基于晶體幾何結(jié)構(gòu)和最小驅(qū)動(dòng)電壓（四分之一波電壓~2.3 kV @1064 nm）。BBO普克爾盒在約0.2-1.65μm范圍內(nèi)工作不受跟蹤性能下降的影響。由于BBO的壓電耦合系數(shù)低，STG-Chiron的重復(fù)頻率可高達(dá)1MHz。此開關(guān)可用于再生放大器、高脈沖重復(fù)率微加工激光器和用于材料加工和金屬退火的高平均功率激光器中。

主要特點(diǎn)

• 高達(dá)1MHz的脈沖頻率

• 固態(tài)

• 低噪音

• 抗損傷陶瓷孔徑

• 緊湊的設(shè)計(jì)

• 高可靠性

• 高平均功率運(yùn)行

主要好處

• 適用于高平均功率系統(tǒng)

• 低吸收，熱效應(yīng)低

• 卓越的高重復(fù)率性能

• 提供技術(shù)支持

主要應(yīng)用

• 軍事

• 通過鉆孔加工、標(biāo)記的原始設(shè)備制造商和替代激光系統(tǒng)；眼科；Q開關(guān)和再生放大器；研究

主要技術(shù)參數(shù)

• 通光孔徑：3.25 mm

• 1064 nm的單程插入損耗：< 1.5%

• 本征對(duì)比（ICR）@1064nm:> 1000:1

• 電壓對(duì)比（VCR）@1064nm（平行偏振）：> 500:1

• 1064nm下的單通波前畸變：< λ/6

• LIDT鍍膜損傷閾值,（10Hz @1064nm, 10ns, 直徑~1mm）: 10J/cm2

• 電容（DC）：~4 pF

• 1064nm的直流半波電壓：4.3-4.9kV

• 儲(chǔ)存和運(yùn)輸?shù)臏囟龋?25攝氏度至50攝氏度

• 10-90%上升時(shí)間（理論上）(50Ω電線）：~1ns

• 1s占空比：< 5%

• 外形尺寸：直徑25.3mm，長57.7mm

STG-TX系列KD*P普克爾盒

STG-TX系列KD*P普克爾盒是目前市面上最先進(jìn)的應(yīng)用于高功率的大口徑光學(xué)隔離器。我們作為業(yè)界的先驅(qū)研發(fā)的激光誘導(dǎo)核聚變和亞微米微光刻技術(shù)的普克爾盒現(xiàn)有大約300臺(tái)在全球范圍內(nèi)使用,所售數(shù)量是其他制造商所售總和的兩倍多。我們利用最先進(jìn)的技術(shù)特別修改了圓柱形環(huán)形電極幾何結(jié)構(gòu)，用來實(shí)現(xiàn)光均勻的傳輸達(dá)到最佳的消光比和最短的光路。STG-TX系列普克爾盒還配有亞微米級(jí)的軸向可調(diào)窗口，用于調(diào)節(jié)窗口/晶體間距，同時(shí)配有224 TPI精密調(diào)節(jié)螺絲可用于再次調(diào)節(jié)窗口平行度和弧度。每個(gè)產(chǎn)品我們都配有質(zhì)保和測(cè)試文件。周時(shí)配備GHV系列50Ω的插座，其額定功率為20kVDC 和1GHz。我們?cè)赟TG-TX系列普克爾盒上安裝優(yōu)質(zhì)的50歐姆GHV系列電氣插座，因?yàn)槠漕~定值為20kVDC和1GHz（需與RG-8 A/U或RG-213/U同軸電纜一起使用）。

主要特點(diǎn)

• 亞微米級(jí)軸向可調(diào)窗口，用于調(diào)節(jié)窗口/晶體間距

• 224 TPI精密調(diào)節(jié)螺絲，用于調(diào)節(jié)窗口平行度和弧度

• 雙循環(huán)口

• 易于檢查和清潔的水晶鏡面

• 50C傳動(dòng)線標(biāo)準(zhǔn)配置。

• 精密加工不含環(huán)氧樹脂

• 可提供各種孔徑尺寸

主要優(yōu)勢(shì)

• 擴(kuò)束可降低光強(qiáng)

主要應(yīng)用

• 超短超強(qiáng)激光器的Q開關(guān)和光隔離器

• 高功率可見光和近紅外激光器的光隔離和低頻調(diào)制

1. L=沿光軸方向的外殼長度；W=電氣端子之間的寬度；H=高度。

2. 可提供某些特定尺寸的99% 氘化 KD*P 和 UV級(jí) KDP。

STG-IRX系列CdTe電光Q開關(guān)

由于碲化鎘具有電光系數(shù)高和不易吸水的特性，它作為Q開關(guān)主要用于3－12um波段，特別是二氧化碳激光器中。其通光口徑為3－10mm，根據(jù)客戶要求，可以切成布儒斯特角端面，也可以根據(jù)客戶指定的激光波長鍍膜。

主要特點(diǎn)

• 高電光效應(yīng)的CdTe晶體

• 可提供3-10 mm氬涂層或布魯斯特切割晶體的孔徑

• 環(huán)境隔離EO晶體

• 可提供定制版本

• 可提供主動(dòng)冷卻（申請(qǐng)專利中）

• 3μm-12μm到100 kHz

• 環(huán)境控制和大功率水冷選項(xiàng)（申請(qǐng)專利中）

• 防潮材料

• 低光吸收

主要優(yōu)勢(shì)

• 高對(duì)比度

• 寬光譜范圍

主要應(yīng)用

• 二氧化碳激光調(diào)Q

• 紅外脈沖選擇器

可按客戶要求定制孔徑。建議在1/10的流量下運(yùn)行，以延長使用壽命。LIDT將隨波長和光束參數(shù)變化。

RTP晶體電光Q開關(guān)

RTP（磷酸鈦氧銣）晶體屬KTP族晶體，因其良好的電學(xué)與光學(xué)性能，包括較高的電阻率（約1011-1012Ω·cm和抗光傷閾值，非常適合用做電光器件，如激光Q開關(guān)、快門、相位和振幅調(diào)制器、脈沖選擇器，腔倒空器和偏轉(zhuǎn)器。

我公司提供的RTP晶體Q開關(guān)，采用雙晶體結(jié)構(gòu)，兩塊晶體光軸彼此垂直，可以自動(dòng)補(bǔ)償環(huán)境溫度變化，是一種無需溫控的激光器件。除此之外，RTP晶體器件還具有下列明顯優(yōu)勢(shì)：

1. 適用波長：450nm – 3μm，器件消光比 ＞ 23 dB

2. 雙晶體總的電容量很小， 5mm長晶體的總電容量為2-3pF或10mm長晶體的總電容量為3-4pF，可實(shí)現(xiàn)脈沖上升/下降時(shí)間：0.5-5ns

3. 與其它電光Q相比，具有較低的半波電壓，更容易控制

4. 晶體內(nèi)部質(zhì)量好，光學(xué)吸收低，雙晶體的總體透光率> 98.5%

5. 動(dòng)態(tài)、靜態(tài)半波電壓基本一致，易于安裝和調(diào)節(jié)

6. 適用于高頻操作，最高開關(guān)頻率可達(dá)1MHz

7. 小巧的外形和較低的操作電壓，使其更適于新型的光纖與碟片激光器應(yīng)用

8. 最大15x15mm2口徑器件可用于大型軍工和航天用途激光器

9. 使用溫度﹣50-70℃，無需溫控

10. 晶體損傷閾值達(dá)1GW/cm2 @ 1064nm, 10ns脈寬

11. 晶體不潮解，介電常數(shù)低，優(yōu)良的電學(xué)穩(wěn)定性，可長期承受外加電壓

12. 在高頻工作時(shí)，極低的振鈴效應(yīng)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于BBO電光Q的振鈴效應(yīng)

RTP晶體電光Q型號(hào)定義規(guī)則

• 型號(hào)：Ty ‐ D ‐ O ‐ Cr ‐ L ‐ E ‐ W

• Ty ‐ 晶體類別: R (RTP)

• D ‐ 電光器件: Q (電光Q)，M (雙晶體結(jié)構(gòu))，或S (單晶體結(jié)構(gòu))

• O ‐ 晶體切割方向: X / Y / Z

• Cr ‐ 晶體截面 [mm]

• L ‐ 晶體長度 [mm]

• E ‐ 消光比20/23/25/30 [dB]

• W ‐ 工作激光波長 [nm]

典型電光Q開關(guān)晶體尺寸和半波電壓 (外觀尺寸圖)

STEK系列普克爾盒

STEK系列KTP普克爾盒

STEK-PCK KTP普克爾盒是用特殊生長的高電阻率KTP晶體制成的新產(chǎn)品系列。KTP晶體比RTP晶體具有更好的光學(xué)均勻性和更高的損傷閾值。其突出特點(diǎn)是可以在高占空比下運(yùn)行KTP開關(guān)的同時(shí)還可時(shí)長時(shí)間保持高電壓。

主要應(yīng)用

• 高重復(fù)率激光器1 kHz–1 MHz的調(diào)Q

• 高重復(fù)率激光器的脈沖選擇器

主要特點(diǎn)

• 相較于雙BBO普克爾盒電池電壓要求小兩倍

• 高占空比運(yùn)行

• 極低的壓電共振

• 標(biāo)準(zhǔn)通光孔徑：4x4、6x6和8x8 mm

STEK系列KD*P普克爾盒

普克爾盒的作用是在KD*P等電光晶體的電極上施壓用來改變通過這些晶體的的光的偏振態(tài)。當(dāng)它與偏振器一起使用時(shí)，普克爾盒可以用作快速關(guān)斷開關(guān)。典型應(yīng)用包括激光腔的調(diào)Q，實(shí)現(xiàn)激光腔倒空將光注入或從再生放大器中耦合出來。KD*P普克爾盒通常用于400～1.1μm的調(diào)Q應(yīng)用。市面大多數(shù)燈泵浦Nd:YAG激光器和低重復(fù)率半導(dǎo)體Nd:YAG激光器的激光腔調(diào)Q開關(guān)都是使用KD*P普克爾盒。所有的電光KD*P晶體都鍍有高損傷閾值A(chǔ)R膜層。此外，STEK-PC12SR和STEK-D-compact系列的普克爾盒還特有AR鍍膜窗口，可以保護(hù)和提高此產(chǎn)品在不太好的環(huán)境中的使用壽命。

主要特點(diǎn)

• 價(jià)格經(jīng)濟(jì)

• 結(jié)構(gòu)緊湊

• 低光吸收

• 光傳輸范圍400-1100nm

主要應(yīng)用

• 激光腔調(diào)Q

• 激光腔倒空

1)交叉極化法測(cè)量。所有的晶體鍍鏌層 AR/AR@1064 nm. 可根據(jù)客戶要求提供其他鍍膜，損傷閾值> 5 J/cm2，1064 nm， 10ns

交叉極化法測(cè)量

STEK系列BBO普克爾盒

此系列普克爾盒是在BBO等電光晶體的電極上施壓用來改變通過這些晶體的的光的偏振態(tài)。當(dāng)與偏振器一起使用時(shí)，它可以用作快速關(guān)斷開關(guān)。典型應(yīng)用包括激光腔的調(diào)Q，實(shí)現(xiàn)激光腔倒空將光注入或從再生放大器中耦合出來。BBO普克爾盒通常用在從紫外到2μm以上的波長范圍。PCB系列的普克爾盒是橫向磁場(chǎng)器件。BBO電光系數(shù)低，工作電壓高。四分之一波電壓與電極間距和晶體長度的比值成正比。因此，小通光孔徑的普克爾合的四分之一波電壓也較低。對(duì)于通光孔徑達(dá)到2.5mm的普克爾盒 ，其四分之一波電壓高達(dá)4kv@1064nm。此產(chǎn)品采用雙晶體設(shè)計(jì)以降低所需電壓，并可在半波模式下快速切換。

主要特點(diǎn)

• 減小壓電振鈴

• 低吸收

• 陶瓷孔徑

• 200 nm~ 2000 nm傳輸范圍

• 結(jié)構(gòu)緊湊

主要應(yīng)用

• 高重復(fù)頻率的半導(dǎo)體Q開關(guān)

• 高重復(fù)頻率的再生放大器控制

• 腔倒空

• 束流脈沖調(diào)制

所有的晶體鍍鏌層 AR/AR@1064 nm. 可根據(jù)客戶要求提供其他鍍膜，損傷閾值> 5 J/cm2，1064 nm， 10ns

1)交叉極化法測(cè)量